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    粉体垂直电阻率测试仪 极片电阻测试仪    粉体垂直电阻率测试仪 极片电阻测试仪

    自动化与智能化功能
    自动极性切换:正/负电流输出与电压测量自动完成,减少人工干预。
    实时数据图谱分析:PC软件同步显示压强-电阻率变化曲线、压实密度曲线,支持数据导出与报表生成。
    压力与厚度联动控制:压力范围*高达 200 kg–1吨,厚度测量精度±0.1 mm,可定制模具尺寸(如内径16–163 mm)。
     
     
    测试原理与步骤
    原理:外侧两探针注入电流,内侧两探针测量电压降,通过欧姆定律计算电阻率。
    步骤:
    样品制备:粉末均匀填充模具,加压成型为块状;
    仪器校准:使用标准电阻校准;
    测试:探针垂直接触样品,设置电流参数后自动测量。
     
     
    消除接触电阻与导线电阻干扰
    电流-电压探针分离:外侧两探针注入电流,内侧两探针测量电压,因电压探针输入阻抗极高,流经电流极小,接触电阻产生的压降可忽略不计。
    独立测量回路:电压测量仅依赖探针间电势差,与导线电阻无关,避免传统两探针法中串联电阻导致的误差。
     
     
    影响因素
    样品均匀性:粒度分布不均会导致数据离散;
    接触质量:探针倾斜或接触不良影响精度;
    压强控制:需稳定在标准值(如3.9MPa±0.03MPa)。
     
     
    优先考虑:
    块体/板材碳素材料:专用四探针电阻率测试仪 通常是*佳选择,操作便捷,符合主流标准,精度有保障。
    薄膜/涂层:四探针法(尤其范德堡法) 或专用薄膜电阻测试夹具配合源表。
    粉末/纤维/复合材料: 可能需要定制夹具,结合 源表 + 定制夹具 或专用测试系统灵活性更高;粉末需压片后按块体测量。
    高精度、多场景研发:源表  是强大而灵活的选择。
    工业现场快速抽检: 专用、坚固、操作简单的四探针仪或两电极仪。
    考察关键参数: 电流/电压量程与分辨率、精度、电阻率计算功能、夹具兼容性、软件功能、符合标准情况。
     
     
    操作便捷高效
    快速测量:无需复杂校准,可直接通过公式(如ρ= (V/I) × 2πS)计算电阻率。
    环境适应性:测量结果受温湿度影响小,实验室与工业场景均适用。
     
     
    典型应用场景
    锂电池材料:如石墨烯、磷酸铁锂的电阻率检测;
    半导体粉末:硅粉、碳纳米管的电导率分析;
    科研与质检:高校、实验室及企业研发部门的质量评估。
     
     
    测量精度高
    电流场稳定:固定探针间距设计使电流分布均匀,减少边缘效应影响。
    非破坏性测量:无需制备合金电极,不破坏样品内部结构,适合工艺监控与重复测试。
     
     
    导电材料检测
    用于合金、陶瓷等导电材料的电阻率测试,支持大尺寸样品直接测量。
    在微电子器件制备中快速检测器件的电学性能。
     
     
    理论精度优势
    消除接触电阻干扰:通过分离电流与电压测量回路,电压探针的高输入阻抗(>1000MΩ)使接触电阻产生的压降可忽略,误差主要来自探针间距的几何修正系数(如直线排列时C≈6.28±0.05 cm)。
    仪器参数支持:典型设备的电流调节精度达±0.1%,电压分辨力为10μV,电阻率测量范围覆盖1010 Ω·cm,满足宽量程需求。
     
     
    提升精度的关键措施
    样品制备:确保表面平整、无污染,粉末样品需压实至密度均匀。
    探针控制:保持探针间距恒定(通常0.5~1.5mm),压力适中避免划痕。
    环境校准:定期用标准电阻校准仪器,避免温湿度波动影响。
    综上,四探针法在理想条件下可实现±0.1%的仪器级精度,实际应用中需结合样品特性和操作规范综合评估
     
     
    半导体材料研究
    用于测量硅、锗、砷化镓等半导体材料的电阻率、载流子浓度及掺杂类型,直接关联杂质含量分析。
    在晶圆制造中检测电阻率均匀性,确保外延片、离子注入片等工艺质量。
    通过温度依赖性研究,分析半导体材料的电学性能变化。
     
     
    参数:
    1.电阻resistance 10-72×107Ω
    2.电阻率范围Resistivity 10-72×107Ω-cm
    3.电导率Conductivity 5×10-7107s/cm
    4.测试电流范围 current 1μA10μA100µA1mA10mA1000mA
    5.测量电压量程Voltage 测量电压量程 voltage2mV  20mV 200mV 2V
    测量精度Accuracy±0.1%读数)
    分辨率 Resolution:  0.1uV  1uV  10uV  100uV
    6.电流精度Current ±0.1%Accuracy
    7.电阻精度Resistance Accuracy ≤0.3%标准电阻resistance
    8.显示读数display 液晶显示:电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算、横截面、高度,上下限警报
    LCD: resistance, resistivity, conductivity, temperature, pressure value, the unit automatically conversion, cross-section,and upper limit alarm
    9.测试方式Test mode 四端测量法Four-terminal measurement method
    10.传感器压力Pressure Sensors 200kg(其他规格可以定制)
    (Other specifications can be customized)
    11.粉末测量装置
    Powder measuring device 模具Mold:内径inner diameter 10mm20mm(选购), height: 25mm,
    加压方式:手动液压加压测量 pressure: manual hydraulic pressure / automatic compression mode (purchase).
    12.工作电源power supply 输入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗Power consumption<30W
    13.外形尺寸/dimensions 主机Mainframe:约L330mm*D350mm*H120mm ;手动装置about:约H450mm*L200mm*D120mm
    14.净重量/Net Weight 35kg
    About 35kg
     
     
    测量目标:
    核心是评估磁芯材料在高频下的涡流损耗特性。
    通常不直接测量体电阻率(ρ)(因环形闭合结构难以施加贯穿电流),而是测量?表面两点之间的等效电阻?,或者通过标准化方法获得等效电阻率??品质因数(Q)来间接反映涡流损耗。
    常用指标:电阻(R)(单位:Ω)或?等效电阻率(ρ_eq)(单位:Ω·m)。
    标准方法:两点加压,四点测量(改进的四线法)
    电极布置: 在磁环外圆表面上,沿环的周向(垂直于轴向/垂直于环面方向) 等间距布置四个点接触电极。
    外侧两个电极: 施加恒定电流 (I)。电流沿环形磁芯圆周方向流动(模拟高频磁场感应的涡流路径)。
    内侧两个电极: 测量这两点之间的电压降 (V)
    原理: 测量电流 (I) 流过磁环周向路径时产生的电压降 (V),利用 ?欧姆定律 (R = V/I) 计算得到两点间的等效电阻 (R)
    消除接触电阻: 四点法(分离电流施加和电压测量电极)有效消除了接触电阻和引线电阻对电压测量的影响,确保测量的是磁芯材料本身路径的电阻。
    等效电阻率计算: 若需要等效电阻率 (ρ_eq),需要知道磁环的几何尺寸(平均周长 L,横截面积 A)。
     
     
    磁环垂直电阻测试仪的核心是精确测量磁环在周向(垂直于环面方向)上的等效电阻(R)或等效电阻率(ρ_eq),以评估其抑制高频涡流损耗的能力。测量方法严格遵循IEC 60401-3 / EIA RS-202 标准,采用?在环外圆周向上等间距四点法(两点加电流,两点测电压)。
     
     
    *佳选择:专用磁环电阻测试仪,它们是*可靠、*符合标准的生产和质检工具。
    替代方案: 高精度 源测量单元配合严格按照标准设计制造的定制四点探针夹具,适合研发和灵活性要求高的场景。
    选择时,务必确保所选仪器和夹具完全符合 EIA RS-202 IEC 60401-3 标准,这是保证测量结果准确、可靠且具有行业可比性的关键。
     
     
    接触电阻率测试仪的核心组成
    精密电流源与电压表:
    高精度源测量单元 是理想选择:可精准输出恒定电流(DC 或脉冲)。
    高分辨率测量微小电压(低至 nV 级)。
    内置扫描、编程、触发功能。
    专用微欧计/毫欧表: 针对低阻测量优化(如 ?Keysight 34420A, IET Labs RMO系列?)。
     
     
    十字桥接法
    适用对象: 类似 TLM,也是半导体金属化接触的标准测试结构。
    结构: 金属层与半导体层形成十字交叉,在金属臂上使用四线法直接测量电压降。
    原理: 设计使电压测量点紧邻接触界面,有效隔离体电阻,直接获得接触电阻 Rc,再结合接触面积计算 ρc
    优点: 测量精度高,直接获得 Rc
    缺点: 同样需专门制备测试结构。
     
     
    点接触/面接触法(用于连接器、开关等)
    适用对象: 连接器插针/插孔、继电器触点、导线压接点、涂层结合处等?宏观电接触部件?
     
     
    理论精度优势
    消除接触电阻干扰:通过分离电流与电压测量回路,电压探针的高输入阻抗(>1000MΩ)使接触电阻产生的压降可忽略,误差主要来自探针间距的几何修正系数(如直线排列时C≈6.28±0.05 cm)。
    仪器参数支持:典型设备的电流调节精度达±0.1%,电压分辨力为10μV,电阻率测量范围覆盖1010 Ω·cm,满足宽量程需求。
     
     
    对比其他方法的精度差异
    vs两探针法:四探针法因消除导线电阻和接触电阻影响,精度提升约1个数量级,尤其适用于高阻薄膜(如石墨烯)。
    vs万用表法:万用表受限于电流源稳定性,低阻测量时易饱和,而四探针法通过恒流源(如100mA档)可稳定测量低至10 Ω·cm的电阻率。
     
     
    操作便捷高效
    快速测量:无需复杂校准,可直接通过公式(如ρ= (V/I) × 2πS)计算电阻率。
    环境适应性:测量结果受温湿度影响小,实验室与工业场景均适用。
     
     
    售后服务
    一、安装调试:协助试验机的安装,负责试验机的运输、调试。
    二、验收标准:试验机按订货技术附件进行验收。终验收在买方进行,对用户提供的试样进行试验,并提供测试报告。
    三、培训:安装调试同时,在仪器操作现场一次性免费培训操作人员2-3名,该操作人员应是由需方选派的长期稳定的员工,培训后能够对设备基本原理、软件使用、操作、维护事项理解和应用,使人员能够独立操作设备对样品进行检测、分析,同时能进行基本的维护。
    四、软件升级:终生免费提供新版本控制软件。
     
     
     
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